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南昌大學涂少波副教授論文在國際權(quán)威期刊ACS Nano上發(fā)表

作者:時間:2024-04-02
攝影 單位

本網(wǎng)訊(物理與材料學院)近日,南昌大學物理與材料學院涂少波副教授及其合作者的最新研究成果以“Suppressing Dielectric Loss in MXene/Polymer Nanocomposites through Interfacial Interactions”(通過界面作用降低聚合物/MXene復(fù)合材料介電損耗)為題,在國際權(quán)威期刊ACS Nano上在線發(fā)表。

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該成果以南昌大學為第一單位和通訊單位,涂少波副教授為第一作者和通訊聯(lián)系人,物理與材料學院2021級碩士生邱隆國和阿卜杜拉國王科技大學(KAUST)博士生劉陳為共同第一作者,KAUST張西祥教授和Husam N. Alshareef教授為共同通訊作者。該課題得到國家自然科學基金項目(NSFC 52203092),國家留學基金委(CSC)以及KAUST CRG科研項目支持。該論文上線發(fā)表后第一時間被eScience(科學在線)報導(dǎo)推薦。

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構(gòu)建兼具低介電損耗和高介電常數(shù)的復(fù)合材料是制備高能量密度電容這一細分領(lǐng)域的關(guān)鍵課題。利用增強相和聚合物基體的界面相互作用提升兩相相容性,限制高分子鏈和副官能團在外電場中的運動,被認為是降低介電損耗和提升抗電強度的有效技術(shù)路徑。南昌大學研究團隊系統(tǒng)研究了聚合物基復(fù)合材料兩相界面相互作用機制(ACS nano 2018, 12, 3369; ACS Appl. Mater. Interfaces 2019, 11, 27358; Applied Physics Letters 2019, 114, 232903),首次采用Lewis酸刻蝕制備具有致密表面官能團的Ti3C2Tx MXene,利用-O, -Cl電負性表面官能團與高分子鏈C-H基團形成氫鍵,提升強化相與聚合物基體的界面相容性。該研究工作表明,利用強界面作用誘導(dǎo)高分子鏈在兩相界面處進行重排構(gòu)成致密的鈍化層,能夠有效降低漏導(dǎo)電流和空間極化引起的介電損耗。

涂少波副教授于2021年加入南昌大學,以通訊作者/第一作者在Advanced Materials, Angewandte Chemie, ACS Nano, Advanced Functional Materials, Nano Energy等期刊上發(fā)表SCI學術(shù)論文10余篇。

全文鏈接:https://doi.org/10.1021/acsnano.4c00475

編    輯:涂金鳳

責任編輯:許  航


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